碳化硅 SiC(0001) 上的氮化硼
材料科学
2022-09-20 v2
摘要
在范德华异质结领域，堆叠二维 (2D) 层之间的扭转角已被证明对异质结的性质至关重要。在此背景下，我们此前报道了在表面活性剂气氛中形成的非常规取向外延石墨烯单层的生长 [F. C. Bocquet, et al., Phys. Rev. Lett. 125, 106102 (2020)]。所得的 G-R0 层与 SiC 晶格对齐，因此是迈向高质量扭转双层石墨烯 (tBLG) 的重要里程碑，后者是该领域经常研究的模型系统。在此，我们关注在相同表面活性剂气氛中、但在较低制备温度下获得的表面结构，在该温度下 SiC(0001) 上形成了氮化硼模板层。在一项基于互补实验和理论技术的综合研究中，我们发现——与文献相反——该模板层是六方 BN 层，而非高质量 hBN。它与 SiC 晶格对齐，并在退火过程中被 BN 模板层 0 取向上的低质量石墨烯逐渐取代。
引用
@article{arxiv.2203.00985,
title = {Boron nitride on SiC(0001)},
author = {You-Ron Lin and Markus Franke and Shayan Parhizkar and Miriam Raths and Victor Wen-zhe Yu and Tien-Lin Lee and Serguei Soubatch and Volker Blum and F. Stefan Tautz and Christian Kumpf and François C. Bocquet},
journal= {arXiv preprint arXiv:2203.00985},
year = {2022}
}