稳健狄拉克半金属 $\mathbf{VAl_3}$ 中键断裂诱导的 Lifshitz 转变
材料科学
2020-06-30 v1
摘要
半金属中的拓扑电子通常易受化学掺杂和环境变化的影响，这限制了其在未来电子器件中的潜在应用。本文报道，II 型狄拉克半金属 具有异常的、稳健的拓扑电子，其可容忍化学组成的极端变化。即使在 固溶体中相当一部分 V 原子被替换后，狄拉克电子仍保持完好。该狄拉克半金属态在 处终止，此处发生向 型平庸金属的 Lifshitz 转变。只要成键轨道被 Ti 替代提供的空穴完全耗尽，在此转变中 V-Al 键完全断裂。换言之， 中的狄拉克电子受 V-Al 键保护，其分子轨道是它们的成键重心。我们对拓扑半金属中电子数、化学键与电子性质相互关系的理解，提出了一种寻找稳健的、化学键保护的拓扑材料的合理途径。
引用
@article{arxiv.2005.07970,
title = {Bond-breaking Induced Lifshitz Transition in Robust Dirac Semimetal $\mathbf{VAl_3}$},
author = {Yiyuan Liu and Yu-Fei Liu and Xin Gui and Cheng Xiang and Hui-bin Zhou and Chuang-Han Hsu and HsinLin and Tay-RongChang and WeiweiXie and ShuangJia},
journal= {arXiv preprint arXiv:2005.07970},
year = {2020}
}