通过电阻率和热电势研究 Bi2Te_xSe_y 系列
材料科学
2014-09-11 v3
摘要
我们研究了层状铋硫族化合物 BiTeSe 系列的电阻率 和热电势 随温度和成分的详细依赖关系，并报告了光学带隙的化学计量比依赖性。在补偿度最高的成员 BiTeSe 的电阻率中，我们发现了一个低温平台，其起始温度与高温激活能相关。对于整个系列， 可以用一个简单的非本征半导体模型来描述。通过用 Se 取代 Te，费米能级从价带调节到导带。 的最大值、体带隙以及电阻率中的激活能均在 时被发现。
引用
@article{arxiv.1210.3901,
title = {Bi2Te_xSe_y series studied by resistivity and thermopower},
author = {Ana Akrap and Alberto Ubaldini and Enrico Giannini and Laszlo Forro},
journal= {arXiv preprint arXiv:1210.3901},
year = {2014}
}