Cd1-xSrxO 的带隙工程
材料科学
2011-04-21 v1
摘要
首次利用密度泛函理论计算了 Cd1-xSrxO（）的结构、电子和光学性质。我们的结果表明，这些性质强烈依赖于 x。Cd 与 O 之间的键具有部分共价性，并且随着 Sr 浓度从 0 增加到 100%，该键的共价性减弱。研究发现，Cd1-xSrxO 在整个 x 范围内均为间接带隙化合物，且合金的带隙随着 Sr 浓度的增加从 0.85 eV 增加到 6.00 eV。还计算并详细讨论了依赖于频率的介电函数 、、折射率 和吸收系数 。折射率的峰值随着 Sr 的增加向高能区移动。这些合金的显著特征是 Cd0.5Sr0.5O 为各向异性材料。非寻常折射率的较大值证实该材料为正双折射晶体。目前对该材料光电性质的综合理论研究预测，它可以有效地应用于宽光谱范围（红外、可见光和紫外）的光电器件中。
引用
@article{arxiv.1104.4085,
title = {Bandgap engineering of Cd1-xSrxO},
author = {I. Khan and Iftikhar Ahmad and B. Amin and G. Murtaza and Z. Ali},
journal= {arXiv preprint arXiv:1104.4085},
year = {2011}
}