CuBr$_\mathrm{x}$I$_{1-\mathrm{x}}$合金薄膜的介电函数
材料科学
2022-09-12 v2
摘要
我们利用光谱椭偏仪在0.7 eV至6.4 eV光谱范围内结合基于密度泛函理论的第一性原理计算，研究了CuBrI薄膜合金的介电函数。通过理论与实验的比较，我们将介电函数中的特征归因于布里渊区中特定k点的电子跃迁。所观察到的带隙弯曲随合金组分的变化，从物理与化学不同贡献的角度进行了讨论。由于自旋轨道耦合导致的价带顶能带分裂被发现随Br浓度增加而减小，从CuI的660 meV降至CuBr的150 meV。这一结果可通过铜d轨道对价带顶的贡献随合金组分的变化来理解。
引用
@article{arxiv.2207.01344,
title = {Dielectric function of CuBr$_\mathrm{x}$I$_{1-\mathrm{x}}$ alloy thin films},
author = {Michael Seifert and Evgeny Krüger and Michael S. Bar and Stefan Merker and Holger von Wenckstern and Harald Krautscheid and Marius Grundmann and Chris Sturm and Silvana Botti},
journal= {arXiv preprint arXiv:2207.01344},
year = {2022}
}
备注
Michael Seifert and Evgeny Kr\"{u}ger contributed equally. Some typos were corrected and references were added