PtSe2的带隙工程
材料科学
2019-05-28 v1
摘要
除了预测其在室温下具有高电子迁移率外，根据我们的计算，PtSe2的带隙敏感依赖于由范德瓦耳斯相互作用结合的单原子层数量。我们通过基于密度泛函理论的能带计算理解了这一点。研究发现，价带顶(VBM)和导带底(CBM)的前沿轨道主要分别来自对面外和面内晶格常数敏感的Se的pz和px+y轨道。范德瓦耳斯力增强了面外的成键，进而影响了面内的成键。我们发现厚度依赖的带隙与应变依赖的带隙具有相同的起源，即来自前沿轨道相互作用的改变。该工作展示了在宽范围内调控该化合物电子和光学性质的灵活性。
引用
@article{arxiv.1605.08536,
title = {Band gap engineering of PtSe2},
author = {Zhishuo Huang and Wenxu Zhang and Wanli Zhang},
journal= {arXiv preprint arXiv:1605.08536},
year = {2019}
}
备注
6 pages, 8 figures