石墨烯pn结中的弹道-欧姆量子霍尔平台转变
介观与纳米尺度物理
2009-11-26 v3
摘要
最近在无序石墨烯pn结上进行的量子霍尔实验提供了证据,表明结电阻可以用n型和p型介质电阻的简单欧姆和来描述。然而,在弹道极限下,理论预测pn结中存在依赖于手性的量子霍尔平台。我们表明,这种弹道-欧姆平台转变需要两个截然不同的过程,即(i)空穴/电子朗道态的平衡和(ii)入射朗道边缘态的谷等自旋稀释。这些结论是通过一个简单的散射理论论证得到的,并通过在紧束缚模型下对0.1微米宽的无序石墨烯pn结进行系综量子磁输运计算在数值上得到证实。前一个过程通过pn界面粗糙度实现,在典型实验条件下,均方根粗糙度为10纳米的pn界面无序被发现是足够的。后一个过程对于扶手椅型边缘纳米带由外在边缘粗糙度介导,而对于锯齿型纳米带则由pn结界面边缘处的内在局域谷间散射中心介导。基于这些结果,我们还探讨了为什么高阶欧姆型平台在实验中较难观测到。
引用
@article{arxiv.0908.1987,
title = {Ballistic-Ohmic quantum Hall plateau transition in graphene pn junction},
author = {Tony Low},
journal= {arXiv preprint arXiv:0908.1987},
year = {2009}
}
备注
9 pages, 6 figures