Ag 掺杂 Ge-Sb-Te 合金中掺杂增强快速结晶的原子起源：一项联合实验与理论研究
材料科学
2015-10-28 v3
摘要
我们应用扩展 X 射线吸收精细结构 (EXAFS) 分析和从头算分子动力学 (AIMD) 模拟来研究 Ag 掺杂（高达 42%）Ge1Sb2Te4 合金的原子结构。对与 EXAFS 实验一致的模型的分析表明，Ge 的环境因 Ag 掺杂而发生显著改变，而 Sb 和 Te 的环境几乎不受影响（高 Ag 浓度除外），并且表明 Ag 更倾向于与 Te 成键而非与 Ge 或 Sb 成键。Ag 掺杂促进了四面体 Ge 位点向八面体 Ge 位点的转化，并提高了 Ge-Sb-Te (GST) 合金的结晶速度，这一点已直接从 MD 模拟中得到证实。我们的研究揭示了 Ag 掺杂增强 GST 合金快速结晶的原子机制。
引用
@article{arxiv.1302.5757,
title = {Atomistic origin of doping-enhanced rapid crystallization in Ag-doped Ge-Sb-Te alloys: a joint experimental and theoretical study},
author = {B. Prasai and M. E. Kordesch and D. A. Drabold and G. Chen},
journal= {arXiv preprint arXiv:1302.5757},
year = {2015}
}
备注
The paper has been withdrawn by the author due to a error in the figure 3. It needs an update