通过镍掺杂提升Ge$_2$Sb$_2$Te$_5$材料性能：迈向射频兼容相变器件
材料科学
2018-11-14 v1 光学
摘要
由于低电导非晶态与高电导晶态之间的大阻抗失配，Ge2Sb2Te5 (GST)的高速电学开关仍是一项挑战性任务。在本快报中，我们展示了一种使用镍的有效掺杂方案，将非晶态与晶态之间的电阻率反差降低近三个数量级。最重要的是，我们的结果表明掺杂产生了期望的电学性能，且不会对薄膜的光学性质产生不利影响。镍掺杂水平约为2%，与未掺杂GST相比晶格结构几乎不变。利用椭偏仪获得了非晶态和晶态的折射率，这与XRD的结果相呼应。利用时域热反射法（TDTR）测量了材料的热传输性质，显示掺杂后无变化。该掺杂体系的优势将为设计近红外光谱中电可重构高速光学元件开辟新机遇。
引用
@article{arxiv.1810.01964,
title = {Improving the performance of Ge$_2$Sb$_2$Te$_5$ materials via nickel doping: Towards RF-compatible phase-change devices},
author = {Pengfei Guo and Joshua A. Burrow and Gary A. Sevison and Aditya Sood and Mehdi Asheghi and Joshua R. Hendrickson and Kenneth E. Goodson and Imad Agha and Andrew Sarangan},
journal= {arXiv preprint arXiv:1810.01964},
year = {2018}
}
备注
5 pages, 5 figures, 1 table