FeSb$_2$中电子掺杂诱导的晶体生长与金属铁磁性

Mohamed A. Kassem; Yoshikazu Tabata; Takeshi Waki; Hiroyuki Nakamura

FeSb$_2$中电子掺杂诱导的晶体生长与金属铁磁性

材料科学 2020-11-24 v2

作者: Mohamed A. Kassem , Yoshikazu Tabata , Takeshi Waki , Hiroyuki Nakamura

摘要

为研究窄带隙半导体FeSb $_2$ 中电子掺杂诱导的金属铁磁性，采用简化的自熔剂法生长了FeSb $_2$ 、Fe $_{1-x}$ Co $_x$ Sb $_2$ （ $0 \le x \le 0.5$ ）和FeSb $_{2-y}$ Te $_y$ （ $0 \le y \le 0.4$ ）单晶。由粉末X射线衍射(XRD)图谱、波长色散X射线光谱(WDX)和X射线劳厄衍射表明，在所选固溶度范围内，纯及掺杂的高质量单晶仅显示FeSb $_2$ 的正交 $Pnnm$ 结构，且晶格参数随掺杂水平增加单调变化。与近铁磁小带隙半导体模型一致，FeSb $_2$ 泡利顺磁体的能隙通过电子掺杂逐渐坍缩，在约 $x$ 或 $y$ =0.15处闭合，随后在更高掺杂水平观察到巡游电子各向异性铁磁态。建立并依据提出的理论情形讨论了磁相图。

关键词

电子掺杂 FeSb$_2$ 金属铁磁性单晶生长自熔剂法磁相图小带隙半导体

引用

@article{arxiv.2011.10343,
  title  = {Crystal growth and metallic ferromagnetism induced by electron doping in FeSb$_2$},
  author = {Mohamed A. Kassem and Yoshikazu Tabata and Takeshi Waki and Hiroyuki Nakamura},
  journal= {arXiv preprint arXiv:2011.10343},
  year   = {2020}
}

备注

10 pages, 4 main figures with captions and 1 table

FeSb$_2$中电子掺杂诱导的晶体生长与金属铁磁性

摘要

关键词

引用

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