SiC 外延层掺杂分布及表面声子极化激元波导的 ASNOM mapping
光学
2013-03-14 v1
摘要
采用解理边缘几何结构，对生长在重掺杂 4H-SiC 衬底上的轻掺杂 4H-SiC 外延层进行了无孔径扫描近场光学显微镜 (ASNOM) 成像。在 激光光频下拍摄的 ASNOM 图像显示衬底与外延层之间存在明显对比。该对比在 激光频率下消失，而在更高频率 下变得更加清晰。这可以通过载流子浓度引起的 SiC 局部极化率变化来解释，这种变化在较高频率下更为显著。由于光频率进一步调高至 ，ASNOM 图谱中出现了横向模式结构，表明表面声子极化激元波在外延层露头条带内存在类似波导的受限效应。
引用
@article{arxiv.1303.3175,
title = {ASNOM mapping of SiC epi-layer doping profile and of surface phonon polariton waveguiding},
author = {Dmitry Kazantsev},
journal= {arXiv preprint arXiv:1303.3175},
year = {2013}
}