铁硫族超导体薄膜中人工设计的纳米应变对增强超电流的调控
超导电性
2019-09-10 v3
摘要
尽管铁硫族（FeSexTe1-x，FST）薄膜中的纳米尺度形变（如纳米应变）因能增强包括临界电流密度（Jc）与临界转变温度在内的总体超导特性而受到关注，但其形成迄今已被证明是极其困难且复杂的过程。本文中，我们通过顺序脉冲激光沉积向 FST 基体中注入微量 CeO2，成功制备了具有均匀分布纳米应变的外延 FST 薄膜。利用透射电子显微镜与几何相位分析，我们证实微量 CeO2 注入形成了具有纳米应变区的纳米级精细缺陷，该区域沿 FST 基体的 c 轴具有拉伸应变（ezz ~ 0.02）。该纳米应变 FST 薄膜在 6 K 自场下实现了 3.5 MA/cm2 的显著 Jc，并且相对于原始 FST 薄膜在整个磁场下 Jc 均得到大幅提升。
引用
@article{arxiv.1812.02380,
title = {Artificially Engineered Nanostrain in Iron Chalcogenide Superconductor Thin Film for Enhancing Supercurrent},
author = {Sehun Seo and Heesung Noh and Ning Li and Jianyi Jiang and Chiara Tarantini and Rouchen Shi and Soon-Gil Jung and Myeong Jun Oh and Mengchao Liu and Jongmin Lee and Genda Gu and Youn Jung Jo and Tuson Park and Eric E. Hellstrom and Peng Gao and Sanghan Lee},
journal= {arXiv preprint arXiv:1812.02380},
year = {2019}
}
备注
25 pages, 8 figures