硒化铁薄膜的制备及其超导电性
超导电性
2009-05-18 v1
摘要
采用脉冲激光沉积法在 SrTiO3(001) (STO)、(La,Sr)(Al,Ta)O3(001) (LSAT) 和 LaAlO3(001) (LAO) 衬底上制备了 FeSex (x = 0.80, 0.84, 0.88, 0.92) 薄膜。所有薄膜均显示单相且沿 c 轴取向的外延生长，并具有超导电性。其中，FeSe0.88 薄膜的起始转变温度 Tc, onset 为 11.8 K，零电阻转变温度 Tc, 0 为 3.4 K。估算的上临界磁场为 14.0 T。
引用
@article{arxiv.0904.4731,
title = {Preparation and superconductivity of iron selenide thin films},
author = {Y. Han and W. Y. Li and L. X. Cao and S. Zhang and B. Xu and B. R. Zhao},
journal= {arXiv preprint arXiv:0904.4731},
year = {2009}
}
备注
12 pages, 4 figures, accepted by Journal of Physics: Condensed Matter