氟化 BN 纳米管是 n 型半导体吗？
材料科学
2007-05-23 v1
摘要
我们使用密度泛函方法研究了氟化 (F) 掺杂 BN 纳米管 (BNNT) 的结构和电子性质。结果表明，F 原子倾向于取代 N 原子，导致 BN 层结构发生显著变化。然而，F 取代掺杂并不产生浅杂质态。F 原子吸附在 B 位点稳定性优于吸附在 N 位点。吸附 F 原子的 BNNT 为 p 型半导体，这表明实验中观察到的 F 掺杂多壁 BNNT 具有较大电导率的电子导电行为可能是由于吸附的 F 原子导致的，而非之前假设的 n 型。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0511217,
title = {Are fluorinated BN nanotubes n-type semiconductors?},
author = {H. J. Xiang and Jinlong Yang and J. G. Hou and Qingshi Zhu},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0511217},
year = {2007}
}
备注
To be published in Appl. Phys. Lett