B 位掺杂六方 ErMnO$_3$ 的电子体态与畴壁性质
材料科学
2018-02-28 v1
摘要
受主和施主掺杂是定制半导体的标准方法。最近，掺杂被用于优化铁电畴壁处的行为。与半导体领域一个多世纪的研究相比，化学取代对畴壁处局部电子响应的影响在很大程度上尚未被探索。本文中，六方锰氧化物 ErMnO 使用 Ti 进行施主掺杂。密度泛函理论计算表明，Ti 进入 B 位，取代 Mn。扫描探针显微镜测量证实了铁电畴模板的稳健性。表征了宏观和纳米尺度上的电子输运。测量结果证明了涌现畴壁电流的本征性质，并指向 Poole-Frenkel 导电作为主导的输运机制。除了对六方锰氧化物电子性质的新见解外，B 位掺杂为调节畴壁功能增加了额外的自由度。
引用
@article{arxiv.1710.05557,
title = {Electronic bulk and domain wall properties in B-site doped hexagonal ErMnO$_3$},
author = {T. S. Holstad and D. M. Evans and A. Ruff and D. R. Smaabraaten and J. Schaab and Ch. Tzschaschel and Z. Yan and E. Bourret and S. M. Selbach and S. Krohns and D. Meier},
journal= {arXiv preprint arXiv:1710.05557},
year = {2018}
}