关联的Bernevig-Hughes-Zhang模型中的反铁磁拓扑绝缘体态
强关联电子
2015-06-15 v1
摘要
我们利用变分团簇方法（精确考虑短程空间关联）研究了电子关联对Bernevig-Hughes-Zhang模型中拓扑相变的影响。通过计算自旋陈数和局域磁矩，证明了拓扑非平凡的反铁磁序的存在，并表明该磁相变为二级相变。此外，我们进一步证明，在自旋量子化条件下，拓扑相变由体带隙闭合引起。
引用
@article{arxiv.1304.7933,
title = {Antiferromagnetic topological insulator state in the correlated Bernevig-Hughes-Zhang model},
author = {S. Miyakoshi and Y. Ohta},
journal= {arXiv preprint arXiv:1304.7933},
year = {2015}
}
备注
7 pages, 8 figures