一维通道带间隙中的反常电导量子化
介观与纳米尺度物理
2019-02-01 v1
摘要
我们报道了在弹道、准一维金属通道中量子化电导的典型台阶序列的显著偏离。理想情况下，在此类结构中，每个子带占据数独立地贡献其朗道尔电导量子。在仅基于相干单载流子传输的图像中，幺正背散射可使某一电导台阶低于理想值，但绝对不可能增强某一子带的理想朗道尔电导。恰恰是这样的一种反常且稳健的非线性增强，已在子带阈值之间的整个密度范围内被观测到（de Picciotto R 等，Phys. Rev. Lett. 92, 036805 (2004) 及 J. Phys. Condens. Matter 20, 164204 (2008)）。我们从理论上表明，理想朗道尔电导的反常增强是耦合离散子带的载流子跃迁的标志。
引用
@article{arxiv.1806.06241,
title = {Anomalous Conductance Quantization in the Inter-band Gap of a One-dimensional Channel},
author = {Frederick Green and Mukunda P. Das},
journal= {arXiv preprint arXiv:1806.06241},
year = {2019}
}
备注
11pp 4 figs. Submitted