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空穴掺杂铜氧化物中能隙参数的各向异性

超导电性 2015-01-26 v3

摘要

本文研究了空穴掺杂铜氧化物的能隙参数(Δk\Delta_{k})结构。所得结果表明,Δk\Delta_{k}的反节点部分对温度的依赖性极弱,且在临界温度(TCT_{C})以上,其延伸至赝能隙温度的反常正常态区域。另一方面,靠近节点部分的Δk\Delta_{k}值则表现出强烈的温度依赖性。该模型已在YBa2Cu3O7δ{\rm YBa_{2}Cu_{3}O_{7-\delta}}超导体中进行了检验。研究表明,理论结果与实验数据相符。

关键词

引用

@article{arxiv.1302.2450,
  title  = {Anisotropy of the gap parameter in the hole-doped cuprates},
  author = {R. Szczesniak and A. P. Durajski},
  journal= {arXiv preprint arXiv:1302.2450},
  year   = {2015}
}

备注

9 pages, 5 figures