HgBa$_2$CuO$_{4+\delta}$赝能隙相中的对角向列性
超导电性
2019-07-30 v1 强关联电子
摘要
铜氧化物中的赝能隙现象是高温超导研究中最神秘的谜题。特别是,赝能隙究竟伴随交叉还是相变,一直是长期争议的问题。每个原胞仅有一层CuO面的四方铜氧化物HgBaCuO是解决该谜题的理想体系。在此,我们通过极高精度的磁转矩实验测量CuO面内的磁化率各向异性。我们的关键发现是,在赝能隙温度以下出现明显的面内二重各向异性,这为打破四重对称性的向列相变提供了热力学证据。最令人惊讶的是,向列指向沿CuO方格的对角线方向,这与各类铁基超导体及双层YBaCuO中报道的键向列性形成鲜明对比,后两者的各向异性轴分别沿Fe-Fe与Cu-O-Cu方向。另一显著特征是,对角向列性随温度降低的增强在短程电荷密度波(CDW)形成的温度附近受到抑制。这与YBaCuO形成强烈反差,其后者的键向列性不受CDW影响。我们的结果表明,在HgBaCuO中对角向列序与CDW序之间存在竞争关系。
引用
@article{arxiv.1805.00276,
title = {Diagonal Nematicity in the Pseudogap Phase of HgBa$_2$CuO$_{4+\delta}$},
author = {H. Murayama and Y. Sato and R. Kurihara and S. Kasahara and Y. Mizukami and Y. Kasahara and H. Uchiyama and A. Yamamoto and E. -G. Moon and J. Cai and J. Freyermuth and M. Greven and T. Shibauchi and Y. Matsuda},
journal= {arXiv preprint arXiv:1805.00276},
year = {2019}
}
备注
7 pages, 8 figures