空穴掺杂铜氧化物中双能隙行为的竞争序图像
超导电性
2009-11-13 v2 强关联电子
摘要
对能隙函数的角度依赖性研究为空穴掺杂铜氧化物中两个不同能隙的共存提供了证据，其中节点方向的能隙与超导转变温度 成比例，而反节点方向的能隙与赝能隙温度成比例。我们给出了模型计算结果，表明近期角度分辨光电子能谱（ARPES）以及扫描隧道显微镜（STM）双能隙研究中观察到的大多数特征，与赝能隙在竞争相中具有非超导起源的图像一致。我们的分析表明，在最佳掺杂附近，超导性可以在低温下抑制竞争序，并且 STM 与 ARPES 结果之间的一些关键差异可以揭示竞争序的超晶格对称性。
引用
@article{arxiv.0711.0480,
title = {A competing order scenario of two-gap behavior in hole doped cuprates},
author = {Tanmoy Das and R. S. Markiewicz and A. Bansil},
journal= {arXiv preprint arXiv:0711.0480},
year = {2009}
}
备注
9 pages, 7 figs