半导体漂移输运中的非完整自旋操控
介观与纳米尺度物理
2010-07-07 v1
摘要
我们发现，在零磁场下，多种非磁性半导体中沿闭合路径的漂移输运所诱发的电子自旋旋转仅取决于所取的物理路径。我们为在(001)、(110)或(111)取向的闪锌矿半导体量子阱中经历应变或电场的电子，构建了能产生因沿闭合路径输运而导致的任意可能自旋旋转的物理路径。沿路径运动导致的自旋退相干相对于背景自旋退相干率可以忽略。所设计路径的小尺寸（在GaAs中小于100纳米尺度）可能有助于纳米级自旋电子学电路的应用。
引用
@article{arxiv.1007.0909,
title = {Anholonomic spin manipulation in drift transport in semiconductors},
author = {B. J. Moehlmann and Michael E. Flatté},
journal= {arXiv preprint arXiv:1007.0909},
year = {2010}
}
备注
2 figures