阴影蒸发 InAs 弱链中的 Andreev 自旋松弛时间
介观与纳米尺度物理
2025-08-25 v1 量子物理
摘要
Andreev 自旋量子比特是一种将超导性与半导体物理学相结合的新型量子比特平台。当前观察到的能量松弛机制尚未被识别。我们在此报告了针对 InAs 纳米线弱链的三个步骤，以解决此问题。第一，我们设计了一个针对弱链自旋相关电感性的微波读出电路，以便无需更高的轨道状态即可实现读出——这导致自旋状态特性可探测的参数空间获得更大的窗口。第二，我们成功实施了一种间接工程策略，以缓解准粒子中毒。第三，采用原位阴影蒸发制造了该弱链，已显示可改善原子尺度无序。我们展示了该设计如何在奇偶奇点偏置点的完整磁通和栅压范围内表征自旋稳定性和相干性。自旋松弛和去相干速率与此前报道的最佳器件相当，提示表面原子尺度无序和准粒子中毒与 InAs 纳米线的自旋松弛无关。我们的设计策略可移植到如德氏体和碳等新型材料平台的 Andreev 量子比特。
引用
@article{arxiv.2501.11627,
title = {Andreev spin relaxation time in a shadow-evaporated InAs weak link},
author = {Haoran Lu and David F. Bofill and Zhenhai Sun and Thomas Kanne and Jesper Nygård and Morten Kjaergaard and Valla Fatemi},
journal= {arXiv preprint arXiv:2501.11627},
year = {2025}
}