Andreev 束缚态的自旋磁化率

我们计算了单重态超导体在破对表面附近或序参量畴壁中的电子自旋磁化率与自旋-晶格弛豫率。我们将非均匀区域中高密度 Andreev 束缚态的存在与相干因子相结合，直接联系到某些 $\bf q$ 矢量下磁化率相对于正常态值的增强。除了在铁磁矢量 $q=0$ 处的主导峰外，我们发现在矢量 $q\lesssim 2 k_f$ 处反铁磁关联显著增强，其中在 $S$ 波超导体中 $\bf q$ 沿畴壁方向，在 $D$ 波（节点沿壁）中 $\bf q$ 跨畴壁方向。这些特征被施加的适度塞曼场破坏，该场使零能峰分裂。我们在动量空间中求解 Bogoliubov-de Gennes 方程，其结果与此前研究的晶格模型偏离。畴壁上自旋-晶格弛豫率 $T_1^{-1}$ 的大幅增强提供了准粒子束缚态的清晰特征，并与近期有机超导体 $\kappa$-(BEDT-TTF)$_2$Cu(NCS)$_2$ 中的实验吻合良好。