通过自旋轨道耦合调控塞曼分裂约瑟夫森结中的安德烈夫能级

我们通过求解 Bogoliubov de-Gennes 方程，研究了塞曼分裂超导体/Rashba 导线/塞曼分裂超导体结中的安德烈夫反射和安德烈夫能级$\varepsilon$。我们从理论上证明，可以通过调节 Rashba 自旋轨道相互作用的强度，或者调节 Rashba 自旋轨道相互作用与塞曼场的相对方向来控制安德烈夫能级$\varepsilon$。特别是，我们发现能带分裂的大小可通过 Rashba 自旋轨道相互作用的强度和导线长度进行调节，这可解释为 Rashba 导线中的自旋进动。我们还发现，如果超导体中的塞曼场具有平行于结方向的分量，则$\varepsilon$-$\phi$曲线相对于超导相位差$\phi$变得不对称。虽然与每个赝自旋能带相关的安德烈夫反射过程对自旋轨道场与交换场的相对取向敏感，但总电导却有趣地保持不变。