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单层过渡金属硫化物中解析性激子能量

材料科学 2025-02-04 v3

摘要

我们推导了单层过渡金属硫化物 (TMDCs) 中 ss 态激子能量的解析表达式:Ens=Ry×Pn/(n1/2+0.479r0/κ)2E_{\text{ns}}=-{\text{Ry}}^*\times P_n/{(n-1/2+0.479\, r^*_0/\kappa)^2},其中 n=1,2,...n=1,2,...r0r^*_0κ\kappa 是周围介质的无量纲屏蔽长度和介电常数;Ry\text{Ry}^* 是按介电常数和激子约化质量缩放的有效里德堡能量;Pn(r0/κ)P_n(r^*_0/\kappa) 是变量 nnr0/κr^*_0/\kappa 的函数。其值约为 1.0,我们认为其为修正里德堡能量的项。尽管形式简单,但该公式能高度精确地预测激子能量,与准确数值解相符,这些数值解能准确描述近期实验数据中大类 TMDC 材料,包括 WSe2_2、WS2_2、MoSe2_2、MoS2_2 和 MoTe2_2。为实现这些结果,我们发展了一种称为调节扰动理论的方法,通过将常规扰动方法与若干元素相结合,包括 Levi-Civita 变换、通过消除和创建算子进行的代数计算技术,以及引入自由参数以优化扰动级数的收敛速度。这种通用的激子能量形式在 various physical analyses 中可能有所帮助,包括从可得的测量激子能量中检索材料参数,如激子约化质量和屏蔽长度。

关键词

引用

@article{arxiv.2407.01477,
  title  = {Analytical exciton energies in monolayer transition-metal dichalcogenides},
  author = {Hanh T. Dinh and Ngoc-Hung Phan and Duy-Nhat Ly and Dai-Nam Le and Ngoc-Tram D. Hoang and Nhat-Quang Nguyen and Phuoc-Thien Doan and Van-Hoang Le},
  journal= {arXiv preprint arXiv:2407.01477},
  year   = {2025}
}

备注

5 pages, 1 figure, 3 tables, 1 supplementary