过渡金属硫族化物单层、双层及范德瓦耳斯异质结构中的磁激子
介观与纳米尺度物理
2022-08-05 v2
摘要
我们研究了在外加垂直于单层或异质结构的磁场中，过渡金属硫族化物（TMDCs）单层与异质结构里里德伯态的直接与间接磁激子。我们使用 Rytova-Keldysh 势对直接磁激子、并使用 Rytova-Keldysh 与库仑势对间接磁激子，通过数值求解薛定谔方程计算了里德伯态 1、2、3 与 4 的磁激子结合能。后者有助于理解屏蔽在 TMDCs 异质结构中的作用。我们报道了磁场能量对直接与间接磁激子结合能的贡献以及抗磁系数（DMCs）。展示了磁场对直接与间接磁激子能量贡献的可调性。结果表明，间接磁激子的结合能与 DMCs 可通过 hBN 层数进行调控。因此，我们的研究提出了利用磁场控制 TMDC 单层、双层及异质结构中直接与间接磁致伸缩结合能的可能性，并通过改变 TMDC 层间 hBN 片层数，为定制异质结构的结合能与 DMCs 开辟了额外的自由度。对 TMDC 异质结构中间接磁激子结合能与 DMCs 的计算是新颖的，可在实验数据可用时与之比较。
引用
@article{arxiv.2012.07125,
title = {Magnetoexcitons in transition-metal dichalcogenides monolayers, bilayers, and van der Waals heterostructures},
author = {Roman Ya. Kezerashvili and Anastasia Spiridonova},
journal= {arXiv preprint arXiv:2012.07125},
year = {2022}
}
备注
21 pages, 9 figures, 6 tables. arXiv admin note: text overlap with arXiv:2011.03093