高频隔离变压器中趋肤效应分析
仪器与探测器
2019-10-07 v1 信号处理
加速器物理
摘要
本文研究了在存在涡流与趋肤效应时，具有不同导体与绕组布置的高频变压器。通过使用不同的绕组结构与导体类型（如圆形、方形和箔线），研究了绕组中的趋肤效应，并采用有限元法（FEM）仿真考察了在 20 MHz 高频与 20 kHz 较低频率下导体内的电流密度。此外，获取并展示了 20 MHz 时变压器内的磁场分布。同时，求得了各类变压器类型的磁化电感、漏电感和交流绕组电阻并进行了比较，获取并给出了变压器的频率响应。最后，基于结果可知，随着频率升高，趋肤效应增大交流绕组电阻并减小漏电感。此外，不同的绕组布置、导体和变压器类型表现出广泛的寄生与损耗行为，使设计者能够在不同应用（尤其是 SiC 和 GaN 等新型快速开关）中对各项参数进行折中。
引用
@article{arxiv.1910.01983,
title = {Analysis of Skin Effect in High Frequency Isolation Transformers},
author = {Mohamad Saleh Sanjarinia and Sepehr Saadatmand and Pourya Shamsi and Mehdi Ferdowsi},
journal= {arXiv preprint arXiv:1910.01983},
year = {2019}
}
备注
6 pages, 11 figures, 4 tables