分数过冲的解析模型
介观与纳米尺度物理
2010-12-09 v1
摘要
我们预测，在由顶栅定义窄霍尔条（L < 10 μm）的分数量子霍尔效应区的高迁移率二维电子系统中，将观察到电阻异常。采用解析计算方案描述整数和分数不可压缩条带的形成。我们结合二维电子系统的屏蔽特性以及垂直磁场的影响，计算了载流通道的有效宽度。通过复合费米子公认公式得到的能隙，将多体效应纳入我们的计算方案。我们表明，边缘处具有不同填充因子的分数不可压缩条带会变得倏逝，并在特定磁场区间共存，导致霍尔电阻出现过冲，类似于整数量子霍尔效应。我们还提供了一种机制来解释法布里-珀罗干涉实验中1/3态的缺失。此外，基于我们的解析模型，提出了一种尚未被研究的样品设计，以观测和增强诸如干涉和过冲等脆弱效应。
引用
@article{arxiv.1012.1294,
title = {An analytical model of fractional overshooting},
author = {A. Salman and A. I. Mese and M. B. Yucel and A. Siddiki},
journal= {arXiv preprint arXiv:1012.1294},
year = {2010}
}
备注
8 pages, 6 figures