二维电子气中的量子霍尔电阻过冲——理论与实验

我们系统性地实验研究了一种在Si/SiGe异质结二维电子气中于整数量子霍尔效应条件下观察到的异常输运现象。该现象在特定实验条件和不同材料体系中都会出现。它通常被称为霍尔电阻过冲，但至今缺乏一致的解释。基于我们的实验结果，我们能够开发一个模型，在整数量子霍尔效应的屏蔽理论框架内解释我们所有的观测结果。在该模型中，过冲的起源被归因于一种输运机制，其中电流被限制在共存的、具有不同填充因子的倏逝不可压缩条带中。