殆 CR 四元数流形及其在 HP^n 中的可浸入性

Andrea Santi

殆 CR 四元数流形及其在 HP^n 中的可浸入性

微分几何 2017-04-10 v4

作者: Andrea Santi

摘要

我们将 arXiv:1306.6817v3 [math.DG] 中开发的关于 $G$ -结构余维一可积性条件的一般理论应用于四元数 CR 几何的情形。我们获得了殆 CR 四元数流形容许作为四元数射影空间的超曲面进行局部浸入的充要条件。我们构造了四元数海森堡群上标准四元数接触结构的一种变形，该变形不允许在任何四元数流形中进行局部浸入。

关键词

CR 四元数流形 G-结构可积性条件四元数射影空间四元数接触结构海森堡群

引用

@article{arxiv.1311.4072,
  title  = {Almost CR quaternionic manifolds and their immersibility in HP^n},
  author = {Andrea Santi},
  journal= {arXiv preprint arXiv:1311.4072},
  year   = {2017}
}

备注

24 pages, v3: improved presentation v4: final version to appear in Abh. Math. Semin. Univ. Hambg

殆 CR 四元数流形及其在 HP^n 中的可浸入性

摘要

关键词

引用

备注

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