具有匹配能带与费米面的全 Heusler 巨磁电阻结
介观与纳米尺度物理
2013-01-28 v1 材料科学
摘要
我们提出了一种全 Heusler 架构，可作为在电流垂直面巨磁电阻（CPP-GMR）器件中实现高自旋过滤效率的合理设计方案。选择 Co2MnSi/Ni2NiSi/Co2MnSi 三层膜堆叠作为该架构的原型，并通过第一性原理方法系统研究了其电子结构与磁输运性质。发现全 Heusler 电极-间隔层对之间具有几乎完美匹配的能带与费米面，表明存在大的界面自旋不对称性、高自旋注入效率，从而具有高 GMR 比。通过比较平行传导电子的透射系数与界面电阻以及宏观电流-电压（I-V）特性，输运计算进一步证实了全 Heusler 架构优于传统 Heusler/过渡金属（TM）结构。我们建议未来的理论与实验工作致力于开发新型全 Heusler GMR 结，用于下一代高密度硬盘驱动器（HDDs）的读头。
引用
@article{arxiv.1301.6106,
title = {All-Heusler giant-magnetoresistance junctions with matched energy bands and Fermi surfaces},
author = {Zhaoqiang Bai and Yongqing Cai and Lei Shen and Guchang Han and Yuanping Feng},
journal= {arXiv preprint arXiv:1301.6106},
year = {2013}
}