MBE 生长的过渡金属硫族化合物的晶界/边缘缺陷加速载流子复合
材料科学
2018-01-09 v1
摘要
过渡金属硫族化合物(TMDs)中的缺陷-载流子相互作用在载流子弛豫动力学与载流子输运中起着重要作用,决定了电子器件的性能。利用飞秒激光时间分辨光谱,我们研究了 MBE 生长的 MoTe2 与 MoSe2 中晶界/边缘缺陷对光激发载流子超快动力学的影响。我们发现,与剥离样品相比,MBE 生长样品中的载流子复合速率加快了约 50 倍。我们将这一显著差异归因于 MBE 生长样品中大量存在的晶界/边缘缺陷,其可作为光激发载流子的有效复合中心。我们还在剥离与 MBE 生长的 MoTe2 中观测到相干声学声子,表明该材料中强的电子-声子耦合。我们测得声速与先前理论计算报道结果吻合良好。我们的发现为载流子寿命与声速等基本参数提供了有用参考,揭示了晶界/边缘缺陷未被发现的载流子复合效应,二者均将有助于 TMD 材料中面向高速光电子学的缺陷工程。
引用
@article{arxiv.1801.02220,
title = {Accelerated Carrier Recombination by Grain Boundary/Edge Defects in MBE Grown Transition Metal Dichalcogenides},
author = {Ke Chen and Anupam Roy and Amritesh Rai and Hema C P Movva and Xianghai Meng and Feng He and Sanjay Banerjee and Yaguo Wang},
journal= {arXiv preprint arXiv:1801.02220},
year = {2018}
}