化学修饰石墨烯与二维六方氮化硼中形变势与电子迁移率的第一性原理模拟
材料科学
2011-12-02 v2
摘要
我们针对化学修饰石墨烯中的电子迁移率与电声子耦合进行了第一性原理研究，考察了不同覆盖比例下的氟化石墨烯与氢化石墨烯。由于研究界对六方氮碳硼（h-BCN）的兴趣日益浓厚，本文亦对其进行了研究。具体而言，形变势通过密度泛函理论（DFT）计算，而载流子迁移率则依据 Takagi 模型（S. Takagi, A. Toriumi, and H. Tango, IEEE Trans. Electr. Dev. 41, 2363 (1994)）求得。我们将证明，在氢化程度降低的情况下，石墨烯在迁移率方面能够与硅技术相竞争。
引用
@article{arxiv.1111.1953,
title = {Ab-Initio Simulations of Deformation Potentials and Electron Mobility in Chemically Modified Graphene and two-dimensional hexagonal Boron-Nitride},
author = {Samantha Bruzzone and Gianluca Fiori},
journal= {arXiv preprint arXiv:1111.1953},
year = {2011}
}
备注
9 pages, 2 figures, 2 tables