疏松 GaN 分布式布拉格反射器的位错介导蚀刻的随机模拟
材料科学
2026-02-23 v1
摘要
分布式布拉格反射器 (DBR) 可通过电化学蚀刻由交替堆积的高度 n 型掺杂和非意图掺杂 (NID) GaN 结构制造而成。线程位错 (TD) 可被电化学蚀刻成可传递蚀刻液体穿过 NID 层以接近掺杂材料的输运管道。实验表明，这一过程涉及一种机制，即蚀刻路径可能沿着一条 TD 进入掺杂层，然后沿着掺杂层侧向传播，以便通过另一条 TD 继续进行。跨越多个层面，这一过程创建了被描述为“级联”结构的复杂孔隙结构。本文构建了一个用于 DBR 蚀刻过程的随机模拟，可再现观察到的微观结构的一些关键特征，包括级联形貌。通过将模拟输出与在不同电压下刻蚀的样品进行比较，我们表明可以通过在模拟中调整刻蚀掺杂层的概率来再现实验电流-电压历时数据随偏置电压的变化。结果模拟的输出在层厚度变化的样品（与 DBR 不同）的实验历时电流数据中也表现良好，表明概率随机模型可应用于多种结构，以帮助理解位错介导的电化学蚀刻过程。
引用
@article{arxiv.2602.18336,
title = {A stochastic simulation of the dislocation-mediated etching of porous GaN distributed Bragg reflectors},
author = {Piotr Sokolinski and Ben Thornley and Zetai Xu and Thom R. Harris-Lee and Menno J. Kappers and Rachel A. Oliver},
journal= {arXiv preprint arXiv:2602.18336},
year = {2026}
}
备注
19 pages, 10 figures