金属/纳米多孔GaN分布布拉格反射镜腔中的Tamm等离激元用于有源与无源光电子器件
光学
2020-07-15 v1 介观与纳米尺度物理
摘要
我们研究了金属/半导体分布布拉格反射镜（DBR）界面处的Tamm等离激元（TP）模式。在基于半极性自由站立GaN衬底电化学刻蚀制备的纳米多孔GaN DBR上，沉积了优化厚度（由仿真得约55 nm）的薄Ag（银）层。比较了Ag沉积前后DBR的反射谱，以及与在GaN上沉积连续Ag层的情况。结果表明，Ag沉积后的结构在约455 nm处存在TP模式。有源介质也可置于该模式内用于光电子与光子学。此外，仿真结果预测TP模式波长对环境具有灵敏度（当孔内环境由空气n=1变为异丙醇n=1.3时，约4 nm偏移），表明该基于纳米多孔GaN的TP结构可用于光学传感。
引用
@article{arxiv.2001.01228,
title = {Tamm plasmons in metal/nanoporous GaN distributed Bragg reflector cavities for active and passive optoelectronics},
author = {Guillaume Lheureux and Morteza Monavarian and Ryan Anderson and Ryan A. DeCrescent and Joel Bellessa and Clementine Symonds and Jon A. Schuller and Shuji Nakamura and James S. Speck and Steven P. DenBaars},
journal= {arXiv preprint arXiv:2001.01228},
year = {2020}
}
备注
8 pages, 4 figures