磷化铟中的绝缘层下半导体技术
光学
2015-06-11 v1
摘要
本文介绍了一种用于磷化铟 (InP) 的绝缘层下半导体 (SUI) 技术，旨在设计能与 InP 光子晶体膜结构接合的条形波导。与支撑在绝缘体上的硅基条形波导不同，InP-SUI 中的条形波导由原子层沉积的绝缘层支撑。我们表明，与扩展的光子晶体波导膜相比，当使用 InP-SUI 条形波导与局域光子晶体膜结构接合时，光传输性能有显著提升。此外，SUI 技术使得各种在绝缘体上硅 (SOI) 中使用的光纤耦合技术（如亚微米耦合）可应用于平面膜 III-V 族系统。
引用
@article{arxiv.1210.0956,
title = {A Semiconductor Under Insulator Technology in Indium Phosphide},
author = {Khaled Mnaymneh and Dan Dalacu and Simon Frédérick and Jean Lapointe and Philip J. Poole and Robin L. Williams},
journal= {arXiv preprint arXiv:1210.0956},
year = {2015}
}