量子临界视角下的窄量子点能级充电
介观与纳米尺度物理
2009-04-01 v2 强关联电子
摘要
理解在存在相互作用的情况下量子点中极窄能级的充电，仍然是介观物理学中的一个挑战。我们在一个窄能级与一个宽能级电容耦合的通用模型中探讨了这一基本问题。利用玻色化方法，我们证明，对于任意电容耦合，充电过程可以通过与各向异性近藤模型中的磁化进行类比来描述，其特征是一个低能渡越尺度，该尺度以幂律形式依赖于到该能级的隧穿振幅。我们推导出了该指数的显式解析表达式，并通过详细的数值计算和泛函重整化群计算予以确认。
引用
@article{arxiv.0810.2538,
title = {A quantum criticality perspective on the charging of narrow quantum-dot levels},
author = {V. Kashcheyevs and C. Karrasch and T. Hecht and A. Weichselbaum and V. Meden and A. Schiller},
journal= {arXiv preprint arXiv:0810.2538},
year = {2009}
}
备注
4+ pages, 3 figures, PRL version