强耦合外部导轨道的量子点离散充电
介观与纳米尺度物理
2009-11-10 v2
摘要
我们考察了具有 N_dot 个能级的量子点，其与导轨道强耦合，导轨道通道数为 N。我们既用解析方法又用数值方法证明，对于点与导轨道之间的强耦合，至少有 N_dot - N 个束缚态（类似于光学中的亚辐射态）保留在量子点上。这些束缚态表现出离散充电行为，对于显著范围的充电能，表现出强 Coulomb 阻滞现象随化学势的变化。当充电能较大时，物理情况改变，该相同的（超辐射）态被重复充电。
关键词
引用
@article{arxiv.cond-mat/0307730,
title = {Discrete charging of a quantum dot strongly coupled to external leads},
author = {Richard Berkovits and Felix von Oppen and Jan W. Kantelhardt},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0307730},
year = {2009}
}
备注
5 pages, 3 figures (accepted for publication in EPL)