基于通道各向异性双通道 Kondo 模型的量子点电容
介观与纳米尺度物理
2016-08-31 v2
摘要
继 Matveev 的工作之后，我们研究了通过量子点接触与二维电子气耦合的大型量子点的电荷涨落。我们将讨论限制在恰好有两个通道进入量子点的情况，并讨论了在收缩处（这两个通道之间）透射系数各向异性的作用。在实验上，当仅开启一个“轨道”通道时，可通过向系统施加相对较弱的平面内磁场来引入通道各向异性。该磁场导致自旋向上和自旋向下的电子具有不同的透射振幅。在强磁场下，各向异性双通道极限对应于两个（自旋极化的）轨道通道进入量子点。利用到通道各向异性双通道 Kondo 模型的映射，可以描述电荷涨落的物理机制。对于点接触处弱反射的情况，我们中的一位已在 PRB {\bf 64}, 161302R (2001) 中简要强调过这一点。该映射也适用于讨论强磁场下双接触装置的电导行为。在此，我们对这一方法进行了详细阐述，并讨论了利用到通道各向同性 Kondo 模型的映射的替代解法。此外，我们还考虑了弱透射极限。我们表明，在弱透射和强透射极限下，量子点中电荷作为门电压函数的库仑阶梯行为均已被微小的通道各向异性抹平。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0111406,
title = {Capacitance of a quantum dot from the channel-anisotropic two-channel Kondo model},
author = {Karyn Le Hur and Georg Seelig},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0111406},
year = {2016}
}
备注
17 pages, 4 figures, 1 Table; Expands cond-mat/0101126; Sec. VI on 2-contact setup added (Final version for PRB)