两通道量子点电容线形状的预测
介观与纳米尺度物理
2007-05-23 v1
摘要
我们提出了一种实现两通道库仑模型物理的方案，以量子点实现。我们讨论了如何通过使用两个单电子晶体管并联排列来获取小点上的电荷涨落。我们推导了该方案的微观哈密顿量描述，使其与扩展版的两通道 Anderson 模型（在重费米子系统背景下常用）建立联系，并据此对量子点的微观电容作出详细预测。我们发现其线形状显示出稳健的行为，应可通过实验验证。
关键词
引用
@article{arxiv.cond-mat/0412213,
title = {Prediction of the capacitance lineshape in two-channel quantum dots},
author = {C. J. Bolech and N. Shah},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0412213},
year = {2007}
}
备注
4 pages, 3 figures