具有显著配对效应的纯 Hubbard 模型:相邻 Mott 绝缘相
强关联电子
2009-11-10 v1 超导电性
摘要
我们引入一种 Hubbard 模型,考虑在特定几何结构上对高度自旋退化的 Mott 绝缘态进行掺杂,并在极强耦合极限下处理微观数量的空穴。该几何结构较为通用,每个超晶格顶点都有一对原子,具有高度失配的原子间相互作用:一维实现为一串边相连的四面体。唯一的模型参数为原对内与对间 hopping 矩阵元之比。若对内 hopping 可忽略,则引入微观数量的空穴会导致铁磁 Nagaoka 基态。相反,若对内 hopping 与对间 hopping 相当,则基态为低自旋并具有短程自旋关联。我们精确求解了该状态下两颗空穴的相关运动,发现其在一维和二维中形成束缚对,束缚能随其减小而增大。这一结果与高温超导体铜氧化物平面中空穴运动的长期问题相关:我们严格地表明,在该受失配几何上,空穴成对排列并由空穴运动alone 产生短程低自旋态。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0302039,
title = {A pure Hubbard model with demonstrable pairing adjacent to the Mott-insulating phase},
author = {J. D. Champion and M. W. Long},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0302039},
year = {2009}
}
备注
11 pages, presented at the international workshop on Strongly Correlated Electrons in New Materials (SCENM02), Loughborough, UK (15-17 December 2002). Submitted to Journal of Physics A: Mathematical and General for a special issue