一种用于 eDRAM 电容器的新型嵌入式测量结构
硬件体系结构
2011-11-09 v1
摘要
嵌入式 DRAM (eDRAM) 在片上系统 (SOC) 中的应用日益广泛。将 DRAM 电容器工艺集成到逻辑工艺中以实现令人满意的良率具有挑战性。DRAM 电容器的特定工艺及其低电容值（约 30F）引发了工艺监控和失效分析方面的问题。我们提出了一种新的测试结构，用于测量 DRAM 阵列中每个 DRAM 单元电容器的电容值。该概念已在 0.18m eDRAM 工艺上通过仿真得到验证。
引用
@article{arxiv.0710.4736,
title = {A New Embedded Measurement Structure for eDRAM Capacitor},
author = {L. Lopez and J. M. Portal and D. Nee},
journal= {arXiv preprint arXiv:0710.4736},
year = {2011}
}
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