一种用于基于铁电掺杂 HfO2 薄膜器件片上操作的多脉冲唤醒方案
应用物理
2023-12-15 v1 材料科学
摘要
本文提出了一种用于铁电 HfZrO 薄膜的唤醒方案，该方案基于使用多个短脉冲的渐进切换方法，其电压幅值大致等于矫顽电压。这使得铁电器件（如隧道结（FTJs））能够使用相同的脉冲进行片上唤醒与切换操作。在使用交替脉冲串逐渐切换薄膜极化完成唤醒后，证明 FTJ 的操作与经过“正常”唤醒（使用幅值大于矫顽电压的双极性脉冲）后一样有效。在此情况下，唤醒期间施加的电压降低了 26\%，从而降低了所需的工作功率。
引用
@article{arxiv.2312.08956,
title = {A multi-pulse wakeup scheme for on-chip operation of devices based on ferroelectric doped HfO2 thin films},
author = {Suzanne Lancaster and Thomas Mikolajick and Stefan Slesazeck},
journal= {arXiv preprint arXiv:2312.08956},
year = {2023}
}