一种低损耗1-4 GHz光控硅等离子体开关
信号处理
2021-07-21 v2 等离子体物理
摘要
本文提出了一种适用于L波段与S波段应用的低损耗光控同轴线射频开关。在1.5 W激光功率下，该开关在通带内测得的通态插入损耗小于0.33 dB，回波损耗优于20 dB。测得的断态隔离度从1 GHz处的27 dB到4 GHz处的17 dB。该开关包含一个由915 nm激光光纤激发的单硅芯片，其产生电子-空穴对，从而激发通态硅等离子体。一根光纤从射频基板底部引入以照射该芯片，芯片跨接1.075 mm微带线间隙。据我们所知，这是目前演示的最低损耗硅等离子体开关。
引用
@article{arxiv.2012.07818,
title = {A Low-Loss 1-4 GHz Optically-Controlled Silicon Plasma Switch},
author = {Alden Fisher and Zach Vander Missen and Abbas Semnani and Dimitrios Peroulis},
journal= {arXiv preprint arXiv:2012.07818},
year = {2021}
}
备注
4 pages, 5 figures, to be published in IEEE Wireless and Microwave Technology Conference (WAMICON), 2021