2.4 GHz集成CMOS低噪声放大器
系统与控制
2025-09-03 v1 系统与控制
摘要
本文提出了一种使用130 nm CMOS技术实现的集成低噪声放大器 (LNA)，工作在2.4 GHz频段。LNA是集成接收机性能的关键组件。该LNA设计满足IEEE 802.15.4标准的规格。后布局仿真结果（包括带静电放电保护的垫片）如下：增益为10.7 dB，噪声系数为2.7 dB，第三阶输入拦截点 (IIP3) 为0.9 dBm，输入输出阻抗匹配相对于50终止电阻均优于-20 dB，功耗为505W，采用1.2 V电源供电。所得结果在最近报道的相同拓扑和工作频率的范围内。测量得到的散射参数 (S参数) 与仿真结果一致。该工作为在古巴开展射频集成电路设计研究新方向贡献了力量。
引用
@article{arxiv.2509.02224,
title = {2.4-GHz Integrated CMOS Low-Noise Amplifier (English Version)},
author = {Jorge L. González-Rios and Juan C. Cruz Hurtado and Robson L. Moreno and Diego Vázquez},
journal= {arXiv preprint arXiv:2509.02224},
year = {2025}
}
备注
This document is the author's translation of a peer-reviewed paper published initially in Spanish. \textbf{How to cite}: J. L. Gonz\'alez, J. C. Cruz, R. L. Moreno, and D. V\'azquez, "2.4-GHz Integrated CMOS Low-Noise Amplifier," in V International Symposium on Electronics, XVI Convention Informatica 2016, La Habana, Cuba, 14-18 Mar, 2016