毫米波集成硅器件：有源与无源——善与恶的永恒斗争
信号处理
2024-09-13 v1
摘要
随着极限尺寸微缩，CMOS和BiCMOS技术中的有源器件已达到出色的ft/fmax，使得微波和毫米波（mm-wave）频段中现有和新兴的应用数量不断增加。晶体管ft/fmax的提升如此显著，以至于微波和毫米波IC的性能主要受限于无源器件的损耗。在本文中，我们讨论了定性和定量方面的内容，这些内容可能有助于进一步揭示此类损耗对整体电路性能的影响，并促进有效感知损耗的设计方法（loss-aware design methodologies）的采用。作为示例，我们报告了低功耗毫米波低噪声放大器（LNA）设计的相关结果。我们的结果表明，在低功耗模式下，毫米波LNA的性能由无源元件的损耗主导。我们还展示了感知损耗的设计方法如何减轻由无源器件引起的性能退化，从而成为充分发挥当今可用有源器件潜力的重要工具。
引用
@article{arxiv.2409.08176,
title = {Millimeter-Wave Integrated Silicon Devices: Active versus Passive -- The Eternal Struggle Between Good and Evil},
author = {Michele Spasaro and Domenico Zito},
journal= {arXiv preprint arXiv:2409.08176},
year = {2024}
}
备注
The final version of this draft has been appearing in the Proceedings of ISC 2019 available on IEEE Xplore Digital Library