基于隧穿势垒调控的超导-半导体-超导结的射频低噪声放大器与功率放大器
信号处理
2022-03-29 v1
摘要
在高性能射频收发机中，研究重点一直是低噪声LNA和高功率高速PA。性能折衷迫使许多方案将LNA和PA与其余基带部分分置于不同芯片上。它们通常采用GaAs或InP工艺制造，需要与其余信号链正确接口，从而导致信号完整性问题。此类技术的应用涵盖国防、航空航天到科学仪器等领域。本文提出一种使用超导-半导体-超导(SC-Sm-SC)结并带有可控栅端以调控隧穿电阻的器件。在典型的谐振腔LNA或阻抗匹配PA中，该结构可降低寄生电容，从而实现更高频率工作。此外，由于体载流子为库珀对玻色子，其载流子-载流子与载流子-晶格散射噪声将远低于传统CMOS counterpart。我们的计算表明，它可用于增益达20dB直至36GHz的LNA，以及可输出-10dBm功率直至350GHz的PA。
引用
@article{arxiv.2203.14836,
title = {RF Low Noise Amplifiers and Power Amplifiers using Tunnelling Barrier modulated Superconductor-Semiconductor-Superconductor Junctions},
author = {Debopam Banerjee},
journal= {arXiv preprint arXiv:2203.14836},
year = {2022}
}