NiO电阻式随机存取存储器中的局域莫特转变
强关联电子
2010-07-01 v1 介观与纳米尺度物理
摘要
从哈伯德模型出发，讨论了NiO电阻式随机存取存储器阳极区莫特转变的物理机制。详细审视了哈伯德近似，并表明在定义哈伯德U时，当涉及转变的金属侧时，不应将瓦尼尔函数替换为原子s函数。相应的有效哈伯德U会发生变化，这也可以通过引入固体有效介电常数作为假设来理解。此外，该转变可以在Brinkman-Rice图像中得到演示。最后，这种转变的阳极特性表明它是一个局域莫特转变。因此，当插入覆盖层时，单极开关NiO RRAM仍然可以具有非对称的I-V曲线，这可以通过量子力学进行定性解释。
引用
@article{arxiv.1006.5759,
title = {A Local Mott Transition in NiO Resistance Random Access Memory},
author = {Kan-Hao Xue and Carlos A. Paz de Araujo and Jolanta Celinska and Christopher McWilliams},
journal= {arXiv preprint arXiv:1006.5759},
year = {2010}
}
备注
11 Pages, 5 Figures