基于Fe/x-AlOx/p-InGaAs结且具有折射斜面侧窗的横向型自旋光电二极管
应用物理
2018-07-04 v1
摘要
提出并在室温下演示了一种在器件侧边缘具有折射斜面的横向型自旋光电二极管。水平照射到器件侧面的光被折射并直接引入自旋探测Fe接触下方的薄InGaAs有源层，其中产生自旋极化载流子并通过晶态AlOx隧穿势垒注入Fe接触。利用圆偏振光谱装置开展实验，由此获得与螺旋度相关的光电流分量dI，其转换效率F ~ 0.4%，其中F为dI与总光电流Iph之比。该值是迄今报道的纯横向型自旋光电二极管中的最高值。通过由漂移-扩散和量子隧穿方程构成的模型分析讨论指出，限制F值的因素是半导体中自旋极化电子所注入的能量区域内Fe未被占据的自旋极化态密度。
引用
@article{arxiv.1802.07393,
title = {A lateral-type spin-photodiode based on Fe/x-AlOx/p-InGaAs junctions with a refracting-facet side window},
author = {Ronel Christian Roca and Nozomi Nishizawa and Kazuhiro Nishibayashi and Hiro Munekata},
journal= {arXiv preprint arXiv:1802.07393},
year = {2018}
}
备注
27 pages, 8 figures, 1 appendix