扭转双层石墨烯：电子结构
材料科学
2011-11-09 v1
摘要
双层和多层石墨烯的电子性质通常用AB或Bernal堆叠来解释。然而，已知在天然和合成石墨中会出现多种堆叠缺陷；在石墨的扫描隧道显微镜（STM）研究中常观察到顶层旋转。本文考虑了层间具有较小相对旋转角的双层石墨烯，并在连续近似下计算了零能附近的电子结构。与AB堆叠双层中的情况相反，且与外延石墨烯中的观测一致，我们发现： 低能色散是线性的，与单层相同，但费米速度可显著小于单层的值； 垂直于层的外加电场不会打开电子能隙。
引用
@article{arxiv.0704.2128,
title = {Graphene bilayer with a twist: electronic structure},
author = {J. M. B. Lopes dos Santos and N. M. R. Peres and A. H. Castro Neto},
journal= {arXiv preprint arXiv:0704.2128},
year = {2011}
}
评论
4 pages, 3 eps figures